一种实现电磁屏蔽的SIP封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201910851768.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110634849A | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN110634849A | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | H01L25/065（2006.01）; H01L23/31（2006.01）; H01L23/60（2006.01）; H01L21/56（2006.01）; H01L23/48（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜显扬; 陈木市; 王德富; 徐欣 | 申请（专利权）人 | 苏州中科安源信息技术有限公司 |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 苏州中科安源信息技术有限公司; 杭州电子科技大学 |
| 地址 | 215002 江苏省苏州市吴中区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区01幢（NW-01幢）701室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种实现电磁屏蔽的SIP封装方法。传统采用表面金属化防辐射干扰，增加了模块连接的尺寸。本发明方法首先对SIP模块中的MCU芯片和Flash存储芯片的上下表面使用吸收材料进行全表面涂抹，形成屏蔽层，采用的吸收材料为石墨烯。采用上下叠层的封装方法，将MCU芯片和Flash存储芯片采用SPI总线连接，进行相互通信。然后通过正向键合方式将MCU芯片与基板连接，通过反向键合方式将Flash存储芯片与基板连接。本发明方法可以有效吸收电磁波，减少渗透到芯片中的电磁场，进而提高信号的传输质量以及减少EMI问题。引线采用反向的方式键合，能够有效减少堆叠封装的高度。 |
