DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统
基本信息
| 申请号 | CN201310105279.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104076900B | 公开（公告）日 | 2019-09-27 |
| 申请公布号 | CN104076900B | 申请公布日 | 2019-09-27 |
| 分类号 | G06F1/3234 | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 罗仕材 | 申请（专利权）人 | 超威半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 | 代理人 | 超威半导体（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区,张东路1387号科技领袖之都(东区)第48幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种DRAM控制方法以及系统。该方法包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。通过使得DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态，本发明的方法能够更好地节约电能。 |
