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低信噪比下的硅单晶生长图像的自适应随机共振去噪方法

基本信息

申请号 CN201810199562.1 申请日 -
公开（公告）号 CN108550116B 公开（公告）日 2021-11-09
申请公布号 CN108550116B 申请公布日 2021-11-09
分类号 G06T5/00;G06N3/00 分类 计算；推算；计数;
发明人 焦尚彬;刘倩 申请（专利权）人 西安奕斯伟设备技术有限公司
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 许静
地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了低信噪比下的硅单晶生长图像的自适应随机共振去噪方法，针对低信噪比下的硅单晶生长图像，将双稳态随机共振与PSO寻优算法相结合，设计了基于PSO的自适应随机共振图像去噪算法。本发明利用随机共振具有无损检测微弱信号的优点，对低信噪比下的硅单晶生长图像进行去噪增强，提高图像的质量。利用PSO寻优算法，将Donoho噪声标准差作为寻优算法的适应度函数，对随机共振的系统参数进行实时调整以获得最佳共振输出效应，实现图像去噪。经过该方法对低信噪比下的硅单晶生长图像处理后，可有效去除噪声，提高图像的质量，进而使得低信噪比下的硅单晶图像的弯月面能准确检测，为晶体直径的准确检测奠定了基础。