一种基于立体封装技术的SDRAM存储器
基本信息
| 申请号 | CN201922495256.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211376639U | 公开（公告）日 | 2020-08-28 |
| 申请公布号 | CN211376639U | 申请公布日 | 2020-08-28 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 尹越;王伟 | 申请（专利权）人 | 青岛欧比特宇航科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000山东省青岛市黄岛区青岛古镇口军民融合创新示范区融合路一号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于立体封装技术的SDRAM存储器，包括SDRAM芯片和基板，基板共三层且最上层的基板上设有一个SDRAM芯片，在相邻两个基板之间设有两个SDRAM芯片，基板上还设有第二对外引线桥，SDRAM芯片在基板上实现拓扑互连，引出的信号连接第二对外引线桥上，基板的下端设有底板，底板为对外引脚层且焊接有第一对外引线桥和对外引脚BGA焊盘，底板上设有BGA焊球，BGA焊球焊接在底板的对外引脚BGA焊盘上作为对外引脚。本实用新型采用立体封装技术单个存储器模块内完成五颗SDRAM拓扑互连布线，在PCB设计时不需要在进行繁琐的拓扑布线，大大缩短设计周期提高效率，且能够达到容量或位宽的扩展。 |
