一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510490653.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105140106B | 公开（公告）日 | 2018-04-20 |
| 申请公布号 | CN105140106B | 申请公布日 | 2018-04-20 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘兴昉;刘斌;闫果果;刘胜北;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人 | 厦门紫硅半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;厦门肖克利能源技术有限公司;厦门紫硅半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，包括：步骤1：取一零偏角衬底并清洗；步骤2：在零偏角衬底之上外延硅层；步骤3：升高温度使硅层熔化形成熔融硅层；步骤4：通入碳源，使熔融硅层转变成碳化硅层；步骤5：判断碳化硅层是否达到所需厚度，如果未达到，则重复执行步骤2～步骤4；如果达到，则执行步骤6；步骤6：将未转变成碳化硅层的硅层腐蚀掉，留下完整的碳化硅。本发明利用液硅浸润碳化硅外延表面，并将体系温度升高，提高碳源在液硅中的溶解度，随之采用液相外延生长方法在零偏角碳化硅衬底上进行同质外延生长，可以防止外延层中出现相畴、晶界等缺陷，提高外延层品质，具有很大优势。 |
