ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201410154760.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103882410A | 公开（公告）日 | 2014-06-25 |
| 申请公布号 | CN103882410A | 申请公布日 | 2014-06-25 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵万顺;张峰;王雷;曾一平 | 申请（专利权）人 | 厦门紫硅半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;厦门肖克利能源技术有限公司;厦门紫硅半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。 |
