一种接触窗的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810489030.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108751123B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申请公布号 | CN108751123B | 申请公布日 | 2022-05-20 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 张光瑞;马琳;陆原 | 申请（专利权）人 | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号（集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种接触窗的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；在保护层上形成开设有第一腔的光阻层；刻蚀去除第一腔下的保护层材料，在保护层上形成第二腔；采用第一混合气体刻蚀去除第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀接触窗层材料的过程中保护欧姆接触层。本发明提供的方法，用以解决现有技术中制备MEMS器件的接触窗，存在的所制备器件的良率和可靠性低的技术问题。实现了提高器件的良率和可靠性的技术效果。 |
