一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201810373012.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108767055A | 公开（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申请公布号 | CN108767055A | 申请公布日 | 2018-11-06 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许福军;沈波;王明星;解楠;孙元浩;刘百银;王新强;秦志新 | 申请（专利权）人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京大学;北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x |
