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一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510037027.2 申请日 -
公开（公告）号 CN104576714B 公开（公告）日 2017-11-07
申请公布号 CN104576714B 申请公布日 2017-11-07
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨学林;沈波;程建朋;桑玲;许福军 申请（专利权）人 北京中博芯半导体科技有限公司
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京大学;北京中博芯半导体科技有限公司
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm‑10μm；且Al摩尔组分为1‑26％。与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。