一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910429057.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110211867A | 公开（公告）日 | 2019-09-06 |
| 申请公布号 | CN110211867A | 申请公布日 | 2019-09-06 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨学林; 沈波; 魏来; 张洁; 冯玉霞; 沈剑飞; 刘丹烁; 蔡子东; 马骋 | 申请（专利权）人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京大学;北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法，在外延层生长之前预通氨气，对硅衬底进行氮化预处理，在硅衬底上形成一层无定形的氮化硅薄膜，从而形成一个铝原子扩散的壁垒，这个壁垒阻挡了铝原子扩散，从而降低了外延生长后硅衬底的导电能力，使其维持在高阻状态，减小了射频器件工作时候的射频损耗。本发明对硅衬底的通氨气氮化预处理所用时间为秒级，几乎不占用工厂的机时，有利于工业生产控制成本。 |
