一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201711400432.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108172501A | 公开（公告）日 | 2018-06-15 |
| 申请公布号 | CN108172501A | 申请公布日 | 2018-06-15 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨学林;沈波;张洁;冯玉霞;沈剑飞;魏来;杨志坚;王新强 | 申请（专利权）人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京大学;北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公布了一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法，在异质衬底上依次生长氮化铝成核层、铝镓氮层、氮化镓位错过滤层和氮化镓外延层，通过采用独特的氮化镓位错过滤层，有效克服了现有异质衬底上GaN厚膜材料外延技术上的复杂性，使外延工艺简单且快捷有效，稳定性高，同时能大幅降低缺陷密度，获得GaN连续厚膜，提高异质结构晶体质量，十分适合于低成本的垂直GaN电子器件的研制。 |
