一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201910209262.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110021690A | 公开（公告）日 | 2019-07-16 |
| 申请公布号 | CN110021690A | 申请公布日 | 2019-07-16 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/00;H01L21/324;H01L21/306 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许福军;沈波;张娜;康香宁;秦志新;于彤军;吴洁君 | 申请（专利权）人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京大学 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用。所述降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，包括：先通过刻蚀去除1/5‑1/2深度的n‑AlGaN层，再对刻蚀后的n‑AlGaN层表面进行高温处理。所述方法解决了现有高Al组分n‑AlGaN材料的欧姆接触问题，显著降低高Al组分n‑AlGaN材料的接触电阻，提高了材料的电学性能，由其制得的相关器件的工作电压可大幅降低，大大减少了器件的散热，进一步提高了器件的性能。 |
