用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构
基本信息
| 申请号 | CN201510921283.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105466970A | 公开（公告）日 | 2016-04-06 |
| 申请公布号 | CN105466970A | 申请公布日 | 2016-04-06 |
| 分类号 | G01N27/00(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 杨学林;沈波;胡安琪;郭磊;程建朋;张洁 | 申请（专利权）人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京大学;北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。 |
