一种减小单晶金刚石内应力的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN202110213162.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113005517A | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN113005517A | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | C30B29/04;C30B25/00;C30B33/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王斌;王连忠;卢泽;余军火;杨成武 | 申请（专利权）人 | 廊坊西波尔钻石技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 侯巍巍 |
| 地址 | 065000 河北省廊坊市大厂潮白河工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及单晶金刚石制备的技术领域，具体公开了一种减小单晶金刚石内应力的处理方法。包括以下步骤：金刚石籽晶的准备；单晶金刚石的生长‑高温退火处理：金刚石籽晶进行生长与高温退火处理，每生长一次后进行高温退火一次，生长和高温退火处理交替进行，高温退火次数为2~5次，直至单晶金刚石生长到5.0‑5.5mm；单晶金刚石的高温退火处理条件：高温退火温度为1000‑2000℃，时间为30‑90min。本申请的方法操作简单、易于实现，简化了工艺流程，节约时间和成本，本申请制得的单晶金刚石具有内应力小、表面质量以及内部质量高、裂纹少以及成品率高的优点。 |
