一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta-C膜沉积设备
基本信息
| 申请号 | CN202123449761.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216891179U | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN216891179U | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郎文昌;林琪澳;章柯;张振华;张祖航 | 申请（专利权）人 | 温州职业技术学院 |
| 代理机构 | 温州名创知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 325000浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射产生碳离子的组件及ta‑C膜沉积设备。本实用新型的磁控溅射产生碳离子的组件，其中设有的两个第一靶材相对设置，当等离子体中的粒子轰击第一靶材，形成的带正电的离子和不带电的颗粒向两个第一靶材中间的区域运动，带正电的离子在电磁场的作用下，离开溅射区，进入到磁场导向区，通过离子出口进入真空腔室，进行沉积，而绝大多数不带电的碳颗粒保留在溅射区，进一步与等离子体中的粒子碰撞形成碳离子，本实用新型既能大大减少沉积区域的碳颗粒数量，同时不影响沉积速度。 |
