一种电弧离子镀装置及ta-C沉积镀膜装置
基本信息
| 申请号 | CN202123451867.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216891174U | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN216891174U | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | C23C14/32（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 章柯;郎文昌;张祖航;张振华;林琪澳 | 申请（专利权）人 | 温州职业技术学院 |
| 代理机构 | 温州名创知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 325000浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种电弧离子镀装置及ta‑C沉积镀膜装置。其包括具有一端封闭且另一端为开口的直筒方形状空腔的离子镀壳体，其内固定有两组阴极弧源组件，其相对直筒方形状空腔中心轴倾斜一定角度或平行，工作后，阴极弧源组件靶材表面产生沉积的正离子和不带电的粒子，当所镀工件接入偏压电源负极，正离子在导引磁场及辅助阳极形成的电磁驱动作用下向所镀工件方向运动，在负偏压作用下沉积在工件表面形成镀膜，而不带电的粒子沿其本身的速度方向向前移动，沉积在另一个碳靶或离子镀壳体内壁上。离子镀壳体的体积大，路程短，并且直接与真空腔体相连，沉积速率将大幅度提升。 |
