一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法
基本信息
| 申请号 | CN202111286568.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114093960A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114093960A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/06（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王璐;乐雄英;陆祥;朱娜;李新岳;潘冬新 | 申请（专利权）人 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 毛姗 |
| 地址 | 224005江苏省盐城市盐城市经济技术开发区湘江路58号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，包括：（1）将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液A，将硅片在溶液A中清洗去除表面脏污；（2）将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合得到溶液B，将硅片在溶液B中腐蚀形成金字塔绒面；（3）将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液C，将硅片在溶液C中清洗去除表面残留物；（4）将HF与HCl混合得到溶液D，将硅片在溶液D中继续去除表面残留物，营造酸性环境；（5）将硝酸银溶液、氢氟酸和双氧水混合得到溶液E，将硅片在溶液E中离子腐蚀，在金字塔表面形成纳米级的坑洞；（6）将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液F，将硅片置于溶液F中去除硅片表面残留物与多余的银离子，避免造成Rs过低。 |
