一种无边缘凸起的金属盖石墨岛及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910234457.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111747372A | 公开（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申请公布号 | CN111747372A | 申请公布日 | 2020-10-09 |
| 分类号 | B81B5/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 杨德智;张清卿 | 申请（专利权）人 | 北京清正泰科技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈超 |
| 地址 | 100084北京市海淀区清华大学学研大厦B座705 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种金属盖石墨岛及其制备方法，所述金属盖石墨岛包括岛状结构的石墨和覆盖于其上的金属盖层，所述金属盖层表面平整，且无边缘凸起，所述金属盖石墨岛可自回复，且具有微米尺度的大尺寸超滑面，有利于将超滑技术应用于微米尺度电学器件中。所述制备方法采用两层胶制备工艺，所获得的金属盖石墨岛表面平整，无边缘凸起，显著地提升了微米尺度金属盖石墨岛的自回复率，提高了获得超滑面的成功率，有效地降低了成本。 |
