图像传感器
基本信息
| 申请号 | CN202122157702.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215988761U | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN215988761U | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙赛;石文杰 | 申请（专利权）人 | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海波拓知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡光仟 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种图像传感器，图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，半导体结构层包括第一半导体衬底以及设于第一半导体衬底与光学结构层之间的第二半导体衬底，第一半导体衬底靠近第二半导体衬底的一侧或/和第二半导体衬底靠近第一半导体衬底的一侧设有第一调光结构，第二半导体衬底靠近光学结构层的一侧设有第二调光结构，第一调光结构和第二调光结构构成调制单元，调制单元用于调制不同波长的光线，第一凹槽结构内填充有第一介质结构层，第二凹槽结构内填充有第二介质结构层。可以增加对不同光线的探测效率，而且还能降低光线在第二半导体衬底表面上的反射。 |
