一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410107545.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103839641B | 公开（公告）日 | 2016-10-05 |
| 申请公布号 | CN103839641B | 申请公布日 | 2016-10-05 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈晓东;孙宝玉 | 申请（专利权）人 | 沈阳中北真空设备有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市近海经济区近海大街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备及制造方法，镀膜设备设有真空室、圆柱旋转阴极磁控靶、平面阴极磁控靶、多弧离子靶、转架和料筐。工作时转架在真空室内公转，网状料筐两端有转轴安装在转架上即随着转架公转又自转。圆柱旋转磁控靶安装在真空室内转架内部，平面磁控靶、多弧离子靶、阳极层线性离子源和加热装置安装在真空室内转架的周围，真空镀膜共分3层，第一层为磁控溅射镀层，镀层厚度为：0.1?5μm，第二层为磁控溅射和多弧的混合镀层，镀层厚度为：1?15μm，第三层为磁控溅射镀层，镀层厚度为：0.1?5μm。采用混合镀膜作稀土永磁器件的表面处理工序，不仅提高了稀土永磁器件的抗腐蚀能力，同时也提高了稀土永磁器件的磁性能。 |
