一种钕铁硼永磁器件表面涂层设备及表面涂层方法
基本信息
| 申请号 | CN202010161104.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111218655A | 公开（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申请公布号 | CN111218655A | 申请公布日 | 2020-06-02 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孙昊天;陈晓东;杨威力;于勇波;裴宏伟 | 申请（专利权）人 | 沈阳中北真空设备有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110168辽宁省沈阳市浑南区汇泉东路10-2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种钕铁硼永磁器件的表面涂层设备和涂层方法。该设备主要包括进料阀门、进料室、进料隔离阀门、真空镀膜室、出料隔离阀门、出料室、出料阀门、溅射装置、承载装置。溅射装置至少包括离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上组合而成，溅射装置为3台以上，溅射装置中包含的靶材至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上。工作时，需要涂层的钕铁硼永磁器件置于承载装置上在传送辊上移动并顺序通过进料阀门、进料室、进料隔离阀门、真空镀膜室、出料隔离阀门、出料室、出料阀门；置于承载装置上的钕铁硼永磁器件在真空镀膜室内进行涂层。 |
