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一种低过冲电压单向TVS及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810812187.3	申请日	-
公开（公告）号	CN109166908B	公开（公告）日	2021-07-20
申请公布号	CN109166908B	申请公布日	2021-07-20
分类号	H01L29/06;H01L29/861;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	邹有彪;刘宗贺;薛战	申请（专利权）人	富芯微电子有限公司
代理机构	北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	胡剑辉
地址	230000 安徽省合肥市高新区望江西路860号创新大厦521室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种低过冲电压单向TVS，包括P型衬底和扩散于P型衬底上、下表面的N+浓磷区，N+浓磷区分别覆盖P型衬底上、下表面积的2/3‑5/6；TVS器件上表面氧化有二氧化硅钝化层，TVS器件上表面设有金属电极K，TVS器件下表面设有金属电极A；本发明还公开了所述低过冲电压单向TVS的制造方法，包括如下步骤：步骤S1、衬底制备；步骤S2、氧化；步骤S3、浓磷区光刻；步骤S4、浓磷区扩散；步骤S5、引线孔光刻；步骤S6、蒸铝；步骤S7、铝反刻；步骤S8、蒸铝合金；步骤S9、蒸Ti‑Ni‑Ag合金；步骤S10、Ti‑Ni‑Ag反刻。本发明相对于传统结构的单向TVS在结构上多了一个浓磷扩散区、少了一个浓硼扩散区，在P型衬底下表面扩散浓磷区，能够有效地降低过冲电压，增强器件的浪涌能力。