掩膜版、硅基OLED显示面板及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110231858.9 申请日 -
公开(公告)号 CN113036064A 公开(公告)日 2021-06-25
申请公布号 CN113036064A 申请公布日 2021-06-25
分类号 H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32;B41M5/00 分类 基本电气元件;
发明人 张久杰;季渊 申请(专利权)人 南京昀光科技有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 211100 江苏省南京市江宁区梅林街18号(江宁开发区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供了一种掩膜版、硅基OLED显示面板及其制备方法,其中掩膜版包括掩膜版本体,掩膜版本体包括开孔区,开孔区包括多个开孔,开孔采用激光打孔工艺形成。采用激光打孔工艺形成的开孔尺寸较小,利用掩膜版掩膜时可以形成满足硅基OLED显示面板中发光器件尺寸的发光层,进而使得采用该掩膜版进行发光层制备后可以形成不同颜色的发光层,使得硅基OLED显示面板无需设置滤光层,进而提高硅基OLED显示面板的透过率;相应的,硅基OLED显示面板中发光器件无需太高的发光亮度即可保证正常彩色显示,进而降低硅基OLED显示面板的功耗。