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IGBT器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111104116.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113571415B	公开（公告）日	2022-01-11
申请公布号	CN113571415B	申请公布日	2022-01-11
分类号	H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	曹功勋	申请（专利权）人	上海积塔半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文
地址	200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构，IGBT器件包括有源区、过渡区及终端区；氧离子缺陷层，形成于过渡区及终端区的第二主面内；集电极区，形成于衬底的第二主面；氢离子掺杂区，形成于衬底的第二主面内，氧离子缺陷层位于氢离子掺杂区内，其中，氧离子缺陷层的氧离子作为氢离子的吸附体从而增加氢离子掺杂区内的氢离子的掺杂浓度。本发明在IGBT器件导通时，降低过渡区和终端区的发射效率，同时在IGBT器件关断时，提高过渡区和终端区电子和空穴复合速度，从而有效缓解过渡区存在的电流集中问题，提高IGBT芯片的可靠性。