IGBT器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111123423.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113851379A | 公开（公告）日 | 2021-12-28 |
| 申请公布号 | CN113851379A | 申请公布日 | 2021-12-28 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹功勋 | 申请（专利权）人 | 上海积塔半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构；第一导电类型缓冲区，位于衬底的第二主面内；集电极区，位于衬底的第二主面；氦离子缺陷层，位于衬底的第二主面，且氦离子缺陷层位于第一导电类型缓冲区内。本发明通过在IGBT器件背面增加氦离子缺陷层，实现在不影响通态压降的基础下，有效降低IGBT器件的关断损耗，实现IGBT器件的通态压降与关断损耗的折中曲线往坐标原点靠近，可大大提升IGBT器件的性能。 |
