垂直型逻辑器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111203303.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948398A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948398A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘金营 | 申请（专利权）人 | 上海积塔半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直型逻辑器件及其制备方法。器件包括半导体基底、第一电极、沟道层、第二电极、栅极结构、绝缘材料层及补充电极材料层；第一电极、沟道层及第二电极均为环状结构，且在半导体基底上依次堆叠形成第一开孔；栅极结构绕设于沟道层的周向上，由内至外依次包括栅氧化层、栅介质层及功函数金属层；补充电极材料层填充于第二电极内侧，且与第二电极邻接；绝缘材料层填充于第一开孔内的剩余空间以及半导体基底和栅极结构之间的空间，且覆盖补充电极材料层，其中，第一电极为源极且第二电极为漏极，或第一电极为漏极且第二电极为源极。本发明形成类似圆筒状结构，借助环栅结构可以提高对沟道的控制，降低器件关断状态时的漏电。 |
