IGBT器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111123433.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113851380A | 公开（公告）日 | 2021-12-28 |
| 申请公布号 | CN113851380A | 申请公布日 | 2021-12-28 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹功勋 | 申请（专利权）人 | 上海积塔半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构；第一氦离子缺陷层及第二氦离子缺陷层，第一氦离子缺陷层形成于有源区的第二主面内，第二氦离子缺陷层形成于过渡区及终端区的第二主面内，第一氦离子缺陷层的缺陷密度小于第二氦离子缺陷层的缺陷密度；集电极区，形成于衬底的第二主面；缓冲区，形成于衬底的第二主面内。本发明通过控制过渡区和终端区背面的缺陷层中载流子寿命比有源区背面的缺陷层的载流子寿命更短，在保证较低的通态压降及较低关断损耗的同时也缓解IGBT关断时过渡区电流集中问题。 |
