二维沟道器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111203318.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113937001A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113937001A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/24（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘金营 | 申请（专利权）人 | 上海积塔半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种二维沟道器件及其制备方法。器件包括半导体基底、二维沟道材料层和栅极结构，半导体基底内形成有源极、漏极和沟道区，二维沟道材料层位于源极、漏极和沟道区的表面，沟道区内填充有绝缘材料层，栅极结构位于沟道区的上表面，栅极结构的横向尺寸小于源极及漏极之间的间距，栅极结构自下而上包括栅氧化层、栅介质层和功函数金属层。本发明采用二维材料层作为器件沟道，利用二维材料具有较高的电子迁移率，其本征表面无悬挂键等特点，可降低表面载流子散射和栅界面态，从而使器件尺寸进一步缩小的同时提高器件性能。且制备过程中，器件沟道下的绝缘材料层通过掏空半导体材料层再回填氧化硅等绝缘材料的方式形成，可减少漏电的可能。 |
