SICMOSFET器件的制备方法

基本信息

申请号 CN202111336567.2 申请日 -
公开(公告)号 CN114038757A 公开(公告)日 2022-02-11
申请公布号 CN114038757A 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 季益静;吴贤勇;刘峰松 申请(专利权)人 上海积塔半导体有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 卢炳琼
地址 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种SIC MOSFET器件的制备方法,包括步骤:提供SIC基底,于SIC基底上形成若干间隔设置的第一导电类型的阱区、第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区;于位于阱区之间的基底表面或基底内形成栅氧化层、栅导电层,形成覆盖栅导电层的栅介质层;形成第一有源区金属层和第二有源区金属层;对第一有源区金属层和第二有源区金属层进行不同温度的退火以分别形成第一欧姆接触和第二欧姆接触。本发明在制备SIC MOSET器件的过程中,对N型区金属层和P型区金属层退火时采取不同的退火温度,使得N型和P型区各自可在不同的最优退火温度进行退火,从而使P型欧姆接触区和N型欧姆接触区均可得到最优的接触电阻率,有助于提高器件性能。