垂直型逻辑器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111233456.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113972283A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113972283A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘金营 | 申请（专利权）人 | 上海积塔半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直型逻辑器件及制备方法。器件包括半导体基底；第一电极、沟道层及第二电极，依次堆叠于半导体基底上；第一导电硅化物层及第一金属连线层，第一导电硅化物层位于半导体基底上，且与第一电极电接触，第一金属连线层位于第一导电硅化物的表面，且向第一电极的外侧延伸；栅极结构，位于沟道层的周向上，由内至外依次包括栅绝缘层、栅介质层及功函数金属层；第二导电硅化物层及第二金属连线层，依次位于第二电极的周向上，且与第二电极电接触；绝缘层，覆盖第一金属连线层、功函数金属层、第二导电硅化物层及第二金属连线层。本发明创造性地采用水平金属连接线设计以分别直接与多个器件的源、漏及栅连接，有助于提高器件性能。 |
