碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用专利查询专利号|摘要-满商公司网

碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用

基本信息

申请号	CN202111451571.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114156184A	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN114156184A	申请公布日	2022-03-08
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/167（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	季益静;吴贤勇;贺艺舒	申请（专利权）人	上海积塔半导体有限公司
代理机构	华进联合专利商标代理有限公司	代理人	郑元博
地址	200135上海市浦东新区云水路600号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用，在碳化硅基底层的一侧形成第一掩膜层，进行第一次注入形成阱区，其中，碳化硅基底层为第一导电类型，阱区为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型的导电类型相反，第一掩膜层的厚度为0.1μm～10μm；向阱区进行第二次注入第一导电类型的材料，形成第一源区，其中，注入时与法线的角度为10°～70°。上述碳化硅半导体器件制备方法通过调整掩膜层厚度及注入角度的方法形成所需宽度短沟道，掩膜层的厚度以及注入角度的控制均可以通过设备的工艺参数精确控制，即所需沟道长度可以通过调节工艺参数实现可控，可以提高制备所需沟道碳化硅半导体器件的可控性以及稳定性。