一种n型有机半导体材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010486099.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111559972A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN111559972A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C07D207/337;C07D417/14;C08G61/12;H01L51/42;H01L51/46 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 孙文彬;钟知鸣 | 申请（专利权）人 | 东莞伏安光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳叁众知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杜立光 |
| 地址 | 523808 广东省东莞市松山湖园区学府路1号15栋533室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种窄带隙n型有机半导体材料及其制备方法和在电子器件中的应用。所述的一类窄带隙n型有机半导体材料以方酸菁衍生物为核，化学稳定性及化学修饰性强；其方酸基团具有较强的拉电子特性，可以调节电子云分布，有利降低化合物的LUMO能级，从而调节其半导体材料的光学和载流子传输特性。 |
