一种晶硅表面电池的碱抛光方法
基本信息
| 申请号 | CN202111494449.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113903832A | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113903832A | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C09K13/00（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李一鸣;赵晶;张震华 | 申请（专利权）人 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 绍兴锋行知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐锋 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区斗门街道三江东路22号8幢车间13-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶硅表面电池的碱抛光方法，属于晶硅处理技术领域，具体涉及将多晶硅片进行清洗处理得到处理后的多晶硅片，多晶硅片上无二氧化硅氧化层；将处理后的多晶硅片于抛光液中处理得到了抛光后的多晶硅片；抛光液中含有四甲基氢氧化铵、异丙醇和三嗪衍生物，三嗪衍生物为三聚氯氰上的氯被至少一个L‑半胱氨酸取代的取代物的混合物。经本发明碱抛光液抛光后的多晶硅片的抛光面的反射率提高，反射率提高了6‑15%；包覆氧化铝钝化膜的电池片的少子寿命提高，少子寿命提高了30‑60%；包覆氧化铝钝化膜的电池片的转换效率，转换效率提高了0.1‑0.7%。 |
