一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法
基本信息
| 申请号 | CN202111597932.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113980580A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113980580A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | C09G1/02（2006.01）I;C09K23/42（2022.01）I;C09K23/22（2022.01）I;C07C231/12（2006.01）I;C07C231/14（2006.01）I;C07C235/52（2006.01）I;C08G65/28（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 李一鸣;吴冰;张震华 | 申请（专利权）人 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 绍兴锋行知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐锋 |
| 地址 | 312000浙江省绍兴市越城区斗门街道三江东路22号8幢车间13-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法，属于硅片刻蚀技术领域，具体是利用包含研磨颗粒、甘油、有机胺化合物、酒石酸钠、含氟非离子表面活性剂、酒石酸钠的碱性抛光液，通过表面预处理、表面刻蚀抛光、碱清洗、酸清洗、水洗等步骤对单晶硅进行刻蚀抛光，实现了较低温度下的刻蚀抛光，能耗减少，刻蚀抛光效果好，硅片减薄量低，硅片表面反射率、电池的转化效率得到有效提高。 |
