一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法
基本信息
| 申请号 | CN02116447.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100414733C | 公开（公告）日 | 2008-08-27 |
| 申请公布号 | CN100414733C | 申请公布日 | 2008-08-27 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01);H01L43/14(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑一阳;韩海;景士平;梁平 | 申请（专利权）人 | 北京华源科半光电子科技有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄林业大学院内中科院半导体所 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，采用特别的电极图形，使在金属电极与有源区接触的界面区域，形成一个宽度为10μm的过渡区，有源器件在该过渡区域的宽度逐渐改变，从而避免区域容易发生击穿的缺陷，大大提高了器件的可靠性。 |
