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一种减小霍尔器件失调电压的方法

基本信息

申请号 CN02116445.2 申请日 -
公开（公告）号 CN1450672A 公开（公告）日 2003-10-22
申请公布号 CN1450672A 申请公布日 2003-10-22
分类号 H01L43/14 分类 基本电气元件;
发明人 郑一阳;韩海;景士平;梁平 申请（专利权）人 北京华源科半光电子科技有限责任公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100083北京市海淀区清华东路肖庄林业大学院内中科院半导体所
法律状态 -

摘要

摘要 一种低失调电压的砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，在基片上蒸镀氧化硅形成器件图形，然后再用离子注入技术在图形中形成高浓度有源区，最后蒸镀电极构成霍尔器件的芯片。本发明所述的工艺图形精确，各向同性，由此制备的霍尔器件失调电压很小。