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高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺

基本信息

申请号 CN02116446.0 申请日 -
公开（公告）号 CN100383993C 公开（公告）日 2008-04-23
申请公布号 CN100383993C 申请公布日 2008-04-23
分类号 H01L43/06(2006.01);G01R15/20(2006.01) 分类 基本电气元件;
发明人 郑一阳;韩海;景士平;梁平 申请（专利权）人 北京华源科半光电子科技有限责任公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100083北京市海淀区清华东路肖庄林业大学院内中科院半导体所
法律状态 -

摘要

摘要 一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。