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一种制备太阳能级多晶硅的方法

基本信息

申请号	CN201310047431.9	申请日	-
公开（公告）号	CN103112857B	公开（公告）日	2014-07-09
申请公布号	CN103112857B	申请公布日	2014-07-09
分类号	C01B33/037(2006.01)I	分类	无机化学;
发明人	李伟生;龚炳生;向用春	申请（专利权）人	福建兴朝阳硅材料股份有限公司
代理机构	北京元中知识产权代理有限责任公司	代理人	王明霞
地址	364211 福建省龙岩市上杭县南阳工业区
法律状态	-

摘要

本发明涉及制备太阳能级多晶硅的方法，包括：在矿热炉出硅过程中，向抬包底部持续通入氧化性气体；出硅完成后，将预熔造渣剂倒入抬包中精炼；将氧化性气体采用等离子发生器电离后注入硅液中；待反应完后，将得到的硅液注入保温装置中凝固，待硅锭冷却后，打磨硅锭四周及底面洁净；将硅锭破碎、磨粉，采用混合酸进行酸洗，清洗，烘干；将酸洗后硅粉放入中频炉石墨坩埚中加热熔化成硅液，保温；于硅液的表面放置石墨板，石墨板与直流电压的负极相接，石墨坩埚底部与直流电压的正极相接，施加直流电压；通电2～4h后，在通电状态下，石墨坩埚缓慢下降，离开加热区，进行定向凝固，冷却后取出硅锭，切除上层和尾部的杂质区，即得提纯后6N多晶硅。