一种纳米级结构疏水防水膜

基本信息

申请号 CN201821542815.2 申请日 -
公开(公告)号 CN208791749U 公开(公告)日 2019-04-26
申请公布号 CN208791749U 申请公布日 2019-04-26
分类号 C23C16/34(2006.01)I; C23C16/513(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 杨福年; 郑锡文 申请(专利权)人 深圳和力纳米科技有限公司
代理机构 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 东莞市和域战士纳米科技有限公司
地址 523000 广东省东莞市塘厦镇宏业北路99A16号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种纳米级结构疏水防水膜,在PCB电路板表层从内向外依次设置有第一氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层、PEVCD气相沉积聚苯乙烯纳米薄层、纳米防水膜层、氮化硅防水镀膜层和第二氟碳乙烯基硅烷防水等离子纳米镀膜层。本实用新型采用反复进行PECVD多次镀膜而在PCB电路板产品表面沉积不同结构的等离子纳米结构防水膜,具有良好的防水性、疏水性、透气性、抗脏污性、耐盐雾、耐酸碱、导电作用,膜层的厚度为纳米级薄膜,防水等级为八级以上,不容易击穿,导电性好,不影响产品本身的特性。