首页/ 上海新硅聚合半导体有限公司/ 专利详情

一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN202110829439.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113764572A 公开（公告）日 2021-12-07
申请公布号 CN113764572A 申请公布日 2021-12-07
分类号 H01L41/253（2013.01）I;H01L41/312（2013.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 欧欣;李忠旭;黄凯 申请（专利权）人 上海新硅聚合半导体有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 郝传鑫;贾允
地址 201800上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及声学滤波器技术领域，特别涉及一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法。该异质单晶薄膜的制备方法包括以下步骤：提供异质薄膜结构；该异质薄膜结构包括压电薄膜；对该异质薄膜结构进行后退火处理；该后退火温度范围为300‑800摄氏度；该后退火的氛围内含有与该压电薄膜对应的元素材料。从而能够在实现提高键合强度，恢复晶格缺陷的同时，还能够有效抑制压电薄膜中锂元素和氧元素等的外释问题，提高异质单晶薄膜的质量。