一种异质薄膜衬底的制备方法及声滤波器
基本信息
| 申请号 | CN202110829225.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113764574A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113764574A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | H01L41/312（2013.01）I;H01L41/253（2013.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/64（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I;H03H9/58（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 欧欣;李忠旭;黄凯 | 申请（专利权）人 | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及射频器件制备技术领域，特别涉及一种异质薄膜衬底的制备方法及声滤波器。本申请异质薄膜衬底的制备方法，通过在支撑衬底的表面注入同组分的离子，在支撑衬底中形成缺陷层，优化了异质衬底结构中的热应力分布，优化了器件的频率偏移及损耗，降低了功耗。 |
