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一种异质单晶薄膜的制备方法及异质单晶薄膜

基本信息

申请号 CN202110467099.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113394338A 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN113394338A 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L41/312;H01L41/33;H01L41/187;C30B23/00;C30B33/02 分类 基本电气元件;
发明人 欧欣;李忠旭;黄凯 申请（专利权）人 上海新硅聚合半导体有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 郝传鑫;贾允
地址 201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质单晶薄膜的制备方法及异质单晶薄膜。包括：获取薄膜转移衬底，薄膜转移衬底包括相对的第一表面和第二表面；对薄膜转移衬底进行离子注入，在薄膜转移衬底内形成注入损伤层；获取支撑衬底和刚性衬底；将支撑衬底与第一表面键合，刚性衬底与第二表面键合，得到键合衬底；对键合衬底进行热处理，使得键合衬底沿注入损伤层剥离，得到异质单晶薄膜。通过在薄膜转移衬底的另一个表面上键合刚性衬底，优化异质衬底结构中的热应力分布，极大地改善了异质键合结构在加热剥离时所面临的形变，能够提高薄膜质量及成品率，同时实现了单晶压电薄膜及厚膜的制备，大幅提高了生产效率。