一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110524096.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436960A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436960A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 欧欣;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人 | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶圆制造技术领域，本发明公开了一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法。该抛光方法通过先对薄膜晶圆进行第一CMP抛光，使该薄膜晶圆形成中间薄边缘厚的状态，再对第一CMP抛光后的薄膜晶圆的边缘进行倒角，从而使得边缘区域晶圆整体厚度变小，能够改变晶圆在CMP背压气囊下方的受力分布，再对其进行第二CMP抛光，从而使该状态下边缘去除量大于中间部分去除量，与第一CMP抛光形成相互补偿，从而改善薄膜晶圆的厚度不均匀性。 |
