一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构
基本信息
| 申请号 | CN202110518985.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437162A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437162A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L31/0236（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 欧欣;陈阳;黄凯 | 申请（专利权）人 | 上海新硅聚合半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及光电芯片技术领域，特别涉及一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构。方法包括：获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底；绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层，键合层包括硅薄膜层，硅薄膜层设置在支撑层上；绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层；将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构；去除复合键合结构中的支撑层，暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合，得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构，从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。 |
