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一种NOR Flash存储组以及NOR Flash存储模块

基本信息

申请号	CN201720367697.5	申请日	-
公开（公告）号	CN206742239U	公开（公告）日	2017-12-12
申请公布号	CN206742239U	申请公布日	2017-12-12
分类号	H01L27/115(2017.01)I;H01L27/11517(2017.01)I;H01L27/11524(2017.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	彭海兵	申请（专利权）人	苏州诺存微电子有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	苏州诺存微电子有限公司
地址	215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1666号清华科技园1号楼
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种NOR Flash存储组及NOR Flash存储模块，涉及闪存技术领域，其中，NOR Flash存储组包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上远离衬底一侧的至少两个存储单元；存储单元包括：绝缘层；位于绝缘层上的位线、导电沟道和源线；位于绝缘层上且分别位于位线、导电沟道和源线两侧的隧道电介质层；位于绝缘层上且分别位于隧道电介质层远离位线、导电沟道和源线一侧的浮栅结构，浮栅结构的垂直投影位于绝缘层的垂直投影之内；位于绝缘层两侧且分别位于浮栅结构远离隧道电介质层一侧的阻断绝缘层以及分别位于阻断绝缘层远离浮栅结构一侧且包覆阻断绝缘层的控制栅结构。采用上述技术方案，NOR Flash存储组存储密度较高。