一种NOR型存储组、存储装置及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810297897.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109994488A | 公开（公告）日 | 2019-07-09 |
| 申请公布号 | CN109994488A | 申请公布日 | 2019-07-09 |
| 分类号 | H01L27/11582（2017.01）I; H01L27/11568（2017.01）I; H01L27/115（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭海兵 | 申请（专利权）人 | 苏州诺存微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 苏州诺存微电子有限公司 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1666号清华科技园1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种NOR型存储组、存储装置及制作方法，所述NOR型存储组包括：衬底、形成于所述衬底上的多个存储单元组，每个存储单元组包括两个存储单元，所述每个存储单元包括漏极、源极、电荷存储结构、导电沟道以及侧栅极，其中，所述漏极和源极分别与所述导电沟道的顶部和底部进行连接，同一个存储单元组内的两个存储单元的侧栅极分别位于所述导电沟道的两侧，所述电荷存储结构位于所述侧栅极与所述导电沟道之间；所述多个存储单元组内的所有存储单元的源极进行电连接，所有存储单元的漏极进行电连接。本发明实施例提供的NOR型存储组可实现较高的存储密度，且可以避免存储单元出现过擦的问题。 |
