三维非易失性NOR型闪存
基本信息
| 申请号 | CN201510999059.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105870121B | 公开（公告）日 | 2018-09-21 |
| 申请公布号 | CN105870121B | 申请公布日 | 2018-09-21 |
| 分类号 | H01L27/11551;H01L27/11578 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭海兵 | 申请（专利权）人 | 苏州诺存微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 苏州诺存微电子有限公司 |
| 地址 | 215347 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1666号清华科技园1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了三维非易失性NOR闪存的一些器件结构：这些闪存器件由本发明提供的一系列基本NOR存储组连结成阵列构成，而这些基本NOR存储组中的各存储单元(场效应晶体管)沿着一定方向(垂直、斜交或平行于基底平面方向)堆叠/排列且电路上形成并联，来低成本地实现高存储密度(可达1Tb量级)。这些三维NOR闪存器件不仅可以实现对任意单个存储单元进行独立的完全随机存取，而且可对任意数量的选定存储单元群进行并行写入/擦除操作，因而可广泛使用于可执行代码存储和大容量数据存储两方面的应用之中。 |
