真空电弧离子镀膜源装置
基本信息
| 申请号 | CN201821736284.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209307476U | 公开（公告）日 | 2019-08-27 |
| 申请公布号 | CN209307476U | 申请公布日 | 2019-08-27 |
| 分类号 | C23C14/32（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 侯玉萍 | 申请（专利权）人 | 大连维钛克科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116600 辽宁省大连市甘井子区大连湾街道振兴路200号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 真空电弧离子镀膜源装置，阴极体前端连接靶材，阴极体后部设有螺纹，阴极体通过螺纹连接调节螺母，阴极体外侧安装法兰，法兰与阴极体之间设有内绝缘套、外绝缘套和压紧密封胶圈，压紧密封胶圈位于内绝缘套和外绝缘套之间，法兰端面上位于外绝缘套外侧通过压紧螺栓安装压紧法兰。本实用新型的真空电弧离子镀膜源装置，可实现靶材的前后移动，确保靶材与工件的距离保持不变，确保了高效、高质的镀膜，提高了生产效率。 |
