一种高压及功率器件场限环的新型保护环
基本信息
申请号 | CN201110121400.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102779812A | 公开(公告)日 | 2012-11-14 |
申请公布号 | CN102779812A | 申请公布日 | 2012-11-14 |
分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 郭林 | 申请(专利权)人 | 重庆万道光电科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 401120 重庆市北部新区星光大道62号海王星科技大厦5区9层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本专利公开的一种高压及功率器件场限环的新型保护环,是为了克服微电子领域功率器件设计、生产中常用的场限环技术存在的潜在可靠性隐患而专门设计和制作的。所述高压及功率器件场限环的新型保护环,就是在常规场限环的不同位置,规则的(等距的)或随机的(不等距)设置割断点,使原来连续的保护环成为一段一段的非连续环。规则的或随机的割断点尺寸要控制得比较小,其基本的要求就是要保证割断下面的衬底是耗尽的,这样才能保持原来环的保护功能。为了获得更高的保护电压,非连续的新型保护环可以做成二环,三环甚至多环的结构。在多环结构的情况下,无论保护环割断的设计是规则的或是随机的,两个环之间的割断点必须是错开的,不能够出现并行排列的情况。 |
