首页/ 英诺赛科（苏州）半导体有限公司/ 专利详情

用于测量氮化物基开关装置的动态导通电阻的设备和方法

基本信息

申请号 CN202280001225.1 申请日 -
公开（公告）号 CN114729958A 公开（公告）日 2022-07-08
申请公布号 CN114729958A 申请公布日 2022-07-08
分类号 G01R27/02（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I;H03K17/687（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 陈常 申请（专利权）人 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
代理机构 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 -
地址 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供一种用于测量氮化物基被测装置（DUT）的动态导通电阻的设备，所述氮化物基被测装置包括连接到控制器的控制端子，所述控制器被配置成生成用以接通和切断所述DUT的控制信号。所述设备包括第一箝位模块、第二箝位模块和驱动模块。所述驱动模块被配置成感测所述DUT的状态改变，且基于所述DUT的状态改变生成用以接通和切断所述第一箝位模块的控制信号，使得当所述DUT处于接通状态时，跨所述第一和第二输出节点的输出电压经箝位以指示所述DUT的漏极‑源极电压。所提供的设备可解决GaN装置的动态导通电阻的测量过程中的过冲问题。